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傳HBM芯片通過英偉達(dá)測試,三星:消息不屬實

2024年7月4日 10:26  愛集微  

7月4日,有消息稱三星電子的HBM3E通過了英偉達(dá)的測試。三星隨后表示否認(rèn),稱這一消息“不屬實”。

股市方面,截至上午9點20分,三星電子股價報84600韓元,較前一交易日上漲3.42%。

據(jù)一家媒體報道,三星電子通過了英偉達(dá)HBM3E質(zhì)量測試(質(zhì)量驗證),預(yù)計很快將辦理手續(xù),正式開始量產(chǎn)供應(yīng)HBM。

對此三星電子予以否認(rèn),并表示,“公司正在持續(xù)進(jìn)行HBM3E質(zhì)量測試,有關(guān)主要大客戶通過質(zhì)量測試的報道并不屬實!

此前在5月份,三位知情人士表示,由于發(fā)熱和功耗問題,三星電子最新的高帶寬存儲(HBM)芯片未通過英偉達(dá)測試,該測試被迫暫停。但在2024臺北國際電腦展上,英偉達(dá)CEO黃仁勛表示仍在認(rèn)證三星公司的HBM內(nèi)存,否認(rèn)三星HBM因發(fā)熱和功耗未通過英偉達(dá)測試。

市場對HBM的需求不斷飆升。據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce估算,三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片,預(yù)計到今年底前,HBM將占先進(jìn)制程比例為35%,其余則用以生產(chǎn)LPDDR5(x)與DDR5產(chǎn)品。(校對/孫樂)

編 輯:章芳
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