英飛凌攜手Enphase通過600 V CoolMOS™ 8提升能效并降低 MOSFET相關成本

【2025年3月27日,德國慕尼黑訊】Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的600 V CoolMOS™ 8高壓超結（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，簡化了系統(tǒng)設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統(tǒng)的領先供應商。通過使用600 V CoolMOS™ 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統(tǒng)的MOSFET內(nèi)阻（RDS(on)），進而減少了導通損耗，提高了整體設備效率和電流密度，而且還節(jié)省了與MOSFET相關的成本。

采用TOLL封裝的CoolMOS™ 8

英飛凌科技高級副總裁兼總經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們很高興與Enphase合作，支持他們致力于完成提供創(chuàng)新太陽能解決方案的使命。英飛凌的600 V CoolMOS™8 SJ MOSFET專為以極低成本提供卓越的效率和可靠性而設計，這與Enphase和英飛凌通過提高可再生能源技術的性能和經(jīng)濟性的承諾相吻合，從而進一步推動低碳化�！�

EnphaseEnergy高級副總裁兼系統(tǒng)業(yè)務部總經(jīng)理Aaron Gordon表示：“通過與英飛凌合作，Enphase利用CoolMOS™8 SJ MOSFET技術提高了自身微型逆變器系統(tǒng)的性能和經(jīng)濟性。該合作展現(xiàn)了我們在太陽能行業(yè)追求創(chuàng)新與卓越的決心。我們很高興能以極低的成本為客戶大幅提升電流功率密度�！�

英飛凌最新推出的600VCoolMOS™ 8 MOFET在全球高壓超結MOSFET技術領域處于領先地位，為全球樹立了技術和性價比的標準。該技術提高了充電器和適配器、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電和不間斷電源（UPS）等應用的整體系統(tǒng)性能，進一步推動了低碳化。

CoolMOS™8 SJ MOSFET的柵極電荷較CFD7降低了18%，較P7系列降低了33%。柵極電荷的降低減少了MOSFET的柵極從關斷狀態(tài)（非導通）切換到導通狀態(tài)（導通）所需的電荷，使系統(tǒng)更加節(jié)能。此外，CoolMOS™ 8 SJ MOSFET擁有更快的關斷時間，其熱性能較上一代產(chǎn)品提高了14%至42%。該產(chǎn)品集成快速體二極管，并提供SMD-QDPAK、TOLL和Thin-TOLL 8x8封裝，適用于各種消費和工業(yè)應用。

供貨情況

600 V CoolMOS™8 SJ MOSFET和650 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET產(chǎn)品組合擴展樣品將從四月初開始供應。更多信息，敬請訪問www.infineon.com/coolmos8。

了解英飛凌600 V CoolMOS™8 SJ MOSFET的更多優(yōu)勢，請參考白皮書：“英飛凌CoolMOSTM8證明高壓硅基技術在功率電子產(chǎn)品中仍發(fā)揮著重要作用”。