英飛凌攜手臺(tái)達(dá)共同開(kāi)發(fā)高功率密度電源模塊， 加速數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)升級(jí)

【2025年8月28日，德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布與臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics,Inc.）強(qiáng)化既有合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)高功率密度電源模塊，為超大型數(shù)據(jù)中心的AI處理器提供領(lǐng)先的垂直供電解決方案。這是雙方共同推動(dòng)AI數(shù)據(jù)中心邁向低碳化與數(shù)字化的重要一步。

英飛凌OptiMOS™系列TDM22544D雙相功率模塊

這項(xiàng)合作結(jié)合了英飛凌的超薄硅基（MOSFET）芯片與嵌入式封裝技術(shù)，以及臺(tái)達(dá)行業(yè)領(lǐng)先的電源模塊設(shè)計(jì)與制造能力，共同開(kāi)發(fā)具備高能效的高功率密度電源模塊，以實(shí)現(xiàn)超大型數(shù)據(jù)中心xPUs（運(yùn)算單元）的垂直供電架構(gòu)（VPD）。相較于傳統(tǒng)的平面橫向供電分立式解決方案，垂直供電模塊可為單一機(jī)柜在三年的產(chǎn)品周期中減少高達(dá)150噸的二氧化碳排放。若未來(lái)的超大型數(shù)據(jù)中心將包含多達(dá)100個(gè)服務(wù)器機(jī)柜，總計(jì)二氧化碳減排量將相當(dāng)于4000戶家庭一年的碳排放。

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示：“與臺(tái)達(dá)的緊密合作是兩家公司相輔相成的一個(gè)完美的典范——結(jié)合英飛凌業(yè)界領(lǐng)先的硅基技術(shù)與封裝專業(yè)技術(shù)，和臺(tái)達(dá)卓越的模塊開(kāi)發(fā)能力相結(jié)合。通過(guò)這項(xiàng)合作，我們攜手為超大型數(shù)據(jù)中心創(chuàng)造了顯著價(jià)值，在保持高效率與高可靠性的同時(shí)，也降低了成本，進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化的進(jìn)程�！�

臺(tái)達(dá)電源與系統(tǒng)事業(yè)群副總裁暨總經(jīng)理陳盈源表示：“我們與英飛凌的合作已推進(jìn)至共同開(kāi)發(fā)高度先進(jìn)的VPD模塊，可為客戶提供卓越的電源效率、可靠性與可擴(kuò)展性。我們對(duì)于能夠在推動(dòng)超大型數(shù)據(jù)中心電源基礎(chǔ)設(shè)施生態(tài)系統(tǒng)節(jié)能方面發(fā)揮關(guān)鍵作用而感到自豪，并且期待通過(guò)兩家公司的聯(lián)合創(chuàng)新為整個(gè)行業(yè)做出重要貢獻(xiàn)�！�

臺(tái)達(dá)的這項(xiàng)VPD模塊采用英飛凌的硅基OptiMOS™ 90A功率級(jí)解決方案，其垂直供電技術(shù)是提高系統(tǒng)效率的關(guān)鍵因素，因?yàn)榇怪惫╇妼?shí)現(xiàn)了更直接且精簡(jiǎn)的供電路徑。通過(guò)垂直供電而非橫向供電，VPD模塊可減少系統(tǒng)的供電網(wǎng)絡(luò)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度與效率，同時(shí)也減少因電源損耗產(chǎn)生的散熱需求。另外，垂直供電設(shè)計(jì)還能釋放出更多系統(tǒng)板上的面積，幫助超大型數(shù)據(jù)中心更有效地利用空間，設(shè)計(jì)出更為緊湊與高密度的數(shù)據(jù)中心，并降低整體擁有成本。

隨著AI時(shí)代的持續(xù)推進(jìn)，對(duì)高功率數(shù)據(jù)中心的需求正呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。為滿足這一需求，數(shù)據(jù)中心需要能夠支持AI訓(xùn)練與推理應(yīng)用日益增長(zhǎng)的功率需求的供電解決方案。此外，由于整合了更多高度互連的xPUs，IT機(jī)柜內(nèi)的密度日益增加，需要開(kāi)發(fā)更高電壓的配電解決方案，更為高效地為這些高密度系統(tǒng)供電。英飛凌與臺(tái)達(dá)正在合作開(kāi)發(fā)下一代AI數(shù)據(jù)中心電源供應(yīng)解決方案，以應(yīng)對(duì)在不久的將來(lái)這些數(shù)據(jù)中心機(jī)柜即將出現(xiàn)的兆瓦（MW）等級(jí)供電需求

除了在氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）電源解決方案方面擁有廣泛的產(chǎn)品組合外，英飛凌還是硅MOSFET領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者，其設(shè)計(jì)的硅MOSFET旨在為電源開(kāi)關(guān)、控制和轉(zhuǎn)換帶來(lái)一流的性能、可靠性與易用性，幫助產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案實(shí)現(xiàn)更高的效率、功率密度和成本效益。

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