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諾基亞、憤怒鳥之外,芬蘭也有芯片關鍵材料,傳打入臺積電研發(fā)體系

2019年12月3日 00:37  DeepTech深科技  

一提到芬蘭,你第一個聯想到的是什么?曾經執(zhí)掌全世界“手機帝國”的諾基亞,還是風靡全球的憤怒鳥游戲,抑或是圣誕麋鹿的故鄉(xiāng)。

無論是諾基亞、憤怒鳥,或是麋鹿,應該很少人會聯想到芬蘭也有半導體材料供應商。

在芬蘭的赫爾辛基有一家非常前瞻的半導體材料供應商 PiBond,一直致力于半導體材料的研發(fā),主要是在于實現光刻技術的簡化流程,在許多半導體工藝節(jié)點上已經開始采用。

隨著工藝技術朝5nm 以下工藝節(jié)點演進,PiBond 也研發(fā)出全新用于極紫外光(EUV)的創(chuàng)新材料:無機光刻膠技術,而無機光刻膠技術在臺積電5nm 以下的極紫外光EUV 工藝流程中,已經被視為是材料的一大創(chuàng)新。

值得注意的是,一般半導體工藝中,普遍用的有機光刻膠大概從 90nm 工藝之后就一直被使用著。不過,半導體工藝進入 20nm 以下的 FinFET 結構世代,很多材料都陸續(xù)更新。

尤其到了 5nm 工藝節(jié)點,由于圖形分辨率的高度需求,光刻出來的圖像必須精準和清晰,不然會影響到之后的刻蝕等工藝步驟,因此在一些特殊應用層上,必須開始轉換材料,使用無機光刻膠,這也是 5nm 技術世代后,半導體材料的一大革新。

除了光刻膠技術與產品,PiBond 提供的半導體關鍵材料也用于 CIS、MEMS、3D IC、邏輯、存儲器等芯片制造流程,像是提供光刻膠用于 65nm 以下,尤其是 28nm 工藝節(jié)點上圖像轉移的輔助材料,還有二氧化硅的替代應用材料、后段封裝材料等。

舉例,半導體廠在先進工藝技術上,有些像是臺積電采用的三層結構光刻膠 tri-layers,或是三星采用的四層結構 Quad-layers,PiBond 也提供這樣工藝技術中,其中幾層的光刻膠材料。

無機光刻膠這樣的材料,在 5nm 技術上已經在幾個特殊層上開始使用,半導體工藝技術越往下發(fā)展,無機光刻膠使用會更多。

全球能提供無機光刻膠的供應商只有兩家,芬蘭的 PiBond 和美國的 Inpria,如此創(chuàng)新材料是推進半導體工藝不斷往下發(fā)展的關鍵。

光刻膠市場為外商把持

PiBond 是一家非常特殊的芬蘭材料商,總部在赫爾辛基附近。過去在大家認知中,光刻膠的供應商都是美國、日本、韓國等, 像是陶氏化學、 JSR 株式會社、信越化學、東京應化工業(yè)、 Fujifilm、韓國東進等,或是德國默克這樣的歐洲化工巨頭,很少人知道芬蘭也有一家半導體關鍵工藝的關鍵材料商。

PiBond 在芬蘭的生產基地約 3000 平米,年產能約 100 噸,但可以擴充至 200 噸的年產能規(guī)模,目前潔凈室是 Class 10 和 100 等級,也有 EUV 專用的 Class 3 和 4 等級的潔凈室。

在專利累積上,公司目前已經有 71 個專利,其中 48 個專利已經申請完成,其他的還在申請中,也包含 EUV 的無機光刻膠相關專利。

摩爾定律總是柳暗花明又一村

早在 20 年前,每隔幾年就有業(yè)界大佬提出警語,認為摩爾定律的終點就在不遠處。

20 年過去,人類的創(chuàng)新力和智力是如此的令人驚嘆,摩爾定律總是看似“山窮水盡已無路,柳暗花明又一村”,就這樣走著走著,人類已經來到了 5nm 工藝世代, 3nm 工藝技術更是在眼前,這絕對是 20 年前的半導體人很難想像的一日。

也因為 20 年前,不會有人想到AI技術的進展會顛覆人類的生活型態(tài),甚至取代我們的工作; 短短幾秒鐘的時間就可以下載一部影片; 自動駕駛汽車的世界更在不遠的將來; 我們的生活四周更是處于萬物互聯的時代。

AI、5G、車聯網、物聯網都是創(chuàng)新的需求,甚至可以說是從無到有,這背后是靠全球半導體大廠、設備業(yè)者的重金投入研發(fā)技術,來推進摩爾定律的壽命。

且發(fā)展至此,實現芯片微縮已經不是唯一的目的,如何提升性能、降低成本,把功耗減少,延長電力的續(xù)航力更是至關重要。

自從英特爾的 10nm 難產多年,臺積電每年超過 100 億美元的資本投入,已經超越英特爾成為全世界推進摩爾定律最關鍵的公司。

這當中,也不能抹去“宿敵”三星的一路追趕,從 14/16nm、10nm、7nm 就一路和臺積電較量,三星在 14nm 拿下臺積電大客戶高通訂單,在 7nm 搶著導入極紫光外光(EUV)技術,都是為了與臺積電一較高下,這樣的競技在 5nm 也是會持續(xù)上演。

臺積電已經在 2019 年成功試產 5nm 工藝技術,預計 2020 年將開始大量生產 5nm。臺積電內部對于 5nm 工藝有高度重視性,認為是基于 7nm 微縮的下一個完整技術。

三星當然也會有 5nm 技術的問世,但光是看晶體管密度的增加,三星從 7nm 到 5nm 晶體管密度只有多 20%~30%,臺積電卻整整多出 80%,兩大巨頭 5nm 還未真正量產,但技術領先者已經不言而喻。

但三星也放話正在研發(fā)環(huán)繞閘極結構(gate all around,GAA)技術的 3nm 工藝,預計可以在 2021 年量產,目標是領先臺積電一年,且指出其 3nm 產品會比當前的 7nm 工藝產品效能再提升 35%,功耗也再降低 50%,芯片面積再減少 45%。

可以預見,走到 10nm 工藝技術以下,大家為摩爾定律續(xù)命是想破腦袋,各界也都認可,材料的創(chuàng)新會是最關鍵的一環(huán),這個狀況走到極度高端的 5nm、3nm 會是關鍵。

如果僅是沿用過去的材料基礎,工藝技術的演進,很難有柳暗花明又一村的機遇。

由此可見,半導體產業(yè)下一個戰(zhàn)場,材料絕對是最吸睛的領域,但這一塊多為外商把持,參與者有化學巨頭,更不乏小而美的細分技術領域的領導供應商,國內業(yè)界要在材料領域有所突破,與外商合作,進行技術合作研發(fā),會是切入這塊高壁壘技術領域的不二法門。

編 輯:章芳
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