臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》8月26日消息，據(jù)韓媒Business Korea報道，三星電子裝置解決方案事業(yè)部門技術(shù)長Jeong Eun-seung周三（25日）在一場網(wǎng)絡(luò)技術(shù)論壇中表示，三星能夠搶在主要競爭者臺積電之前，宣布GAA技術(shù)商業(yè)化。
他說，“我們開發(fā)中的GAA技術(shù)，領(lǐng)先主要競爭者臺積電。一旦鞏固這項技術(shù)，我們的晶圓代工事業(yè)將可更加成長。”
據(jù)報道，GAA是3納米制程的關(guān)鍵。GAA技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于改變電晶體架構(gòu)，將之由鰭式場效電晶體（FinFET）的3D轉(zhuǎn)為GAA的4D。
