據電子時報報道，業(yè)內觀察人士表示，DRAM和NAND閃存的過剩情況自第三季度以來已大幅改善，供應過剩率最早可能在第四季度轉為負值。
觀察人士表示，市場供應過剩的改善是三星和美光等主要行業(yè)參與者限產的結果。芯片價格即將見底，但上漲速度仍取決于需求。
觀察人士稱，7月份8GB DDR4（1Gbx8）芯片和8GB DDR4模塊的合同價格均下降了1.5%，但16GB DDR5模塊的合同價格上漲了3-4%。
觀察人士表示，人工智能服務器最近增加了對高帶寬內存（HBM）的需求。在工藝轉型或人工智能服務器推動更高的SSD需求時，DRAM將被主要內存制造商消化。
HBM需求暴增，三星電子、SK海力士等存儲半導體企業(yè)正在推動HBM產線的擴張。兩家公司計劃在明年年底前投資超過2萬億韓元，使HBM生產線目前的產能增加一倍以上。
有韓媒報道稱，HBM正在解凍存儲器半導體市場。雖然三星和SK海力士尚未透露具體的HBM價格，但據悉最新第4代產品HBM3的價格約為最新傳統(tǒng)DRAM的5-6倍。這就是今年HBM出貨量僅占DRAM總出貨量的1.7%，但其銷售額比例卻達到了11%的原因。
