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SK 海力士宣布最早 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存,帶寬為上代 1.4 倍

2024年5月14日 17:16  IT之家  

5 月 14 日消息,HBM 負(fù)責(zé)人 Kim Gwi-wook 近日在官方公告中聲稱當(dāng)前業(yè)界 HBM 技術(shù)已經(jīng)到了新的水平,行業(yè)需求促使 SK 海力士將加速開(kāi)發(fā)過(guò)程,最早在 2026 年推出他們的 HBM4E 內(nèi)存,相關(guān)內(nèi)存帶寬將是 HBM4 的 1.4 倍。

除了 HBM4E 外,據(jù)IT之家此前報(bào)道,有消息稱 SK 海力士計(jì)劃在 2025 年下半年推出采用 12 層 DRAM 堆疊的首批 HBM4 產(chǎn)品,而 16 層堆疊 HBM 稍晚于 2026 年推出。

HBM4 / HBM4E 的開(kāi)發(fā)“加速過(guò)程”無(wú)疑顯示了 AI 領(lǐng)域巨頭對(duì)高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求,日益強(qiáng)大的 AI 處理器需要更高內(nèi)存帶寬的輔助。

編 輯:章芳
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