集微網(wǎng)消息，三星電子表示，已經(jīng)研發(fā)制造出16層堆疊的高帶寬存儲(chǔ)（HBM）的樣品。
三星副總裁Kim Dae-woo表示，三星采用混合鍵合技術(shù)制造了該芯片。他表示，雖然16層堆棧HBM距離投入量產(chǎn)還需要一段時(shí)間，但證實(shí)其運(yùn)行正常。
Kim Dae-woo還補(bǔ)充說，該芯片是作為HBM3制造的，但三星計(jì)劃在HBM4中使用來提高生產(chǎn)率。
消息人士稱，由于對準(zhǔn)問題，三星預(yù)計(jì)只會(huì)對一兩個(gè)芯片堆疊組使用混合鍵合，但后來將該技術(shù)應(yīng)用于所有堆疊。該樣品是使用三星晶圓廠設(shè)備子公司Semes的設(shè)備制造的。
Kim Dae-woo還表示，三星正在考慮在HBM4中使用混合鍵合或熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC-NCF），并將于2025年推出樣品，2026年開始量產(chǎn)。新推出的HBM3E使用TC-NCF技術(shù)。
混合鍵合更具優(yōu)勢，因?yàn)樗鼈兛梢跃o湊地添加更多堆疊，而無需使用填充凸塊進(jìn)行連接的硅通孔（TSV）。HBM上的核心芯片DRAM也可以通過相同的技術(shù)變得更厚。
國際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織（JEDEC）同意將HBM4的封裝厚度定為775微米（比上一代厚55微米），因此HBM4外形尺寸可能還不需要混合鍵合，仍可使用現(xiàn)有的鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)16層DRAM堆疊HBM4。
Kim Dae-woo還表示，在最多8層堆疊的情況下，大規(guī)�；亓髂Ｖ频撞刻畛洌∕R-MUF）的生產(chǎn)效率比TC-NCF更高，但一旦堆疊達(dá)到12層或以上，后者將具有更多優(yōu)勢。
Kim Dae-woo還指出，當(dāng)HBM4推出時(shí)，定制需求預(yù)計(jì)會(huì)增加。他補(bǔ)充說，緩存芯片將變更為邏輯芯片，因此芯片可以來自三星電子或臺(tái)積電。
