4 月 11 日消息，據(jù) TrendForce 集邦咨詢昨日研報(bào)，近日的臺灣地區(qū)地震對第二季度總 DRAM 位元產(chǎn)出影響不足 1%。
目前主要有四家內(nèi)存廠商在臺灣地區(qū)設(shè)有生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，即美光、南亞科技、力積電、華邦電子。研報(bào)表示這四家企業(yè)在震后均出現(xiàn)了一定數(shù)量需要檢查或報(bào)廢的晶圓。
不過這些廠區(qū)本身設(shè)備均有一定的抗震能力，對震后產(chǎn)能影響較小，均已大致恢復(fù) 100% 的產(chǎn)線運(yùn)作。
這四家廠商中，美光相關(guān)產(chǎn)能已轉(zhuǎn)移至先進(jìn)制程，另外三家目前主要停留在 38/25nm 節(jié)點(diǎn)（IT之家注：南亞科技也有 10+ nm 級產(chǎn)能），出貨量較小。
故僅有美光方面會對全球 DRAM 位元產(chǎn)出量造成一定影響，二季度總產(chǎn)出預(yù)計(jì)減少不足 1%。
目前整體市場方面，DRAM 內(nèi)存現(xiàn)貨市場已基本恢復(fù)報(bào)價(jià)，合約價(jià)格則尚未全面啟動。
按細(xì)分市場，移動 DRAM 方面 SK 海力士已于 8 日率先向部分智能手機(jī)業(yè)者啟動報(bào)價(jià)，美光、三星電子按兵不動。研報(bào)預(yù)測二季度移動 DRAM 維持 3~8% 季度漲幅。
而在服務(wù)器內(nèi)存市場，由于美光先進(jìn)制程遭受影響較大，美光服務(wù)器內(nèi)存的成交價(jià)最終可能走高。對于 HBM 內(nèi)存，美光在 HBM 領(lǐng)域主要生產(chǎn)線位于日本，不受影響。
下游模組廠商部分，兩大模組企業(yè)金士頓和威剛已重啟現(xiàn)貨報(bào)價(jià)，未現(xiàn)漲幅。
TrendForce 集邦咨詢預(yù)計(jì)地震對 DRAM 內(nèi)存的價(jià)格推升效果有限，DDR3 有一定漲價(jià)空間，而 DDR4 和 DDR5 的短期小漲格局有望很快回歸正常。
